XI Международный Форум «Инновационное развитие через рынок интеллектуальной собственности». Сборник документов и материалов.

Одиннадцатый международный Форум «Инновационное развитие через рынок интеллектуальной собственности». Сборник докладов, документов и материалов // Под научной редакцией доктора юридических наук, профессора Лопатина В.Н. М., Электронное  издание РНИИИС, 2019, 436 С.     ISBN 978-5-6040772-4-5

Настоящий сборник подготовлен в РНИИИС, который с 2008 г. выступает в качестве основного спонсора и Дирекции Международного Форума. Сборник содержит информацию об организаторах,  приветствиях в адрес участников Форума и его итогах, стенограммы пленарных и сессионных заседаний, основные доклады и выступления участников Форума, проводимого в рамках Международных дней интеллектуальной собственности под эгидой ООН.

В сборник включен итоговый документ - рекомендации Форума (на русском и английском языках), который был направлен во все международные и межгосударственные  организации (ВОИС, ШОС, СНГ, ЕАЭС, Союзное государство), в высшие органы государственной власти и национальные академии наук всех  стран ЕАЭС и СНГ.

Основные  положения итогового документа  были представлены  в докладе научного руководителя РНИИИС на  Всемирной конференции ВОИС «Интеллектуальная  собственность  и развитие: как использовать потенциал и извлечь выгоду из системы интеллектуальной собственности»  20 мая 2019г. в Женеве (Швейцария)  и получили высокую оценку и поддержку в решении Комитета ВОИС  по развитию интеллектуальной собственности (23-я сессия КРИС ВОИС от 21.05.2019).

Программный комитет, Организационный комитет и Дирекция форума благодарят Совет Федерации Федерального Собрания Российской Федерации за содействие в подготовке и издании этого сборника.

Форум проведен и сборник издан при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант РФФИ № 19-011-20019).

XI Международный Форум «Инновационное развитие через рынок интеллектуальной собственности». Сборник документов и материалов. - Электронная библиотека РНИИИС © РНИИИС, 2018